SAN JOSE, Californie — Kioxia America présente un nouveau dispositif de mémoire flash intégrée.
Le mois dernier, Kioxia America indiquait avoir développé un « échantillonnage » de ses dispositifs de mémoire flash intégrée Universal Flash Storage (UFS), compatibles avec l’interface de couche physique MIPI M-PHY v. 5,04.
Ces dispositifs sont conçus pour diverses applications mobiles, notamment les smartphones, et offrent des performances élevées en lecture et en écriture.
Kioxia estime que la prochaine génération d’UFS apporte des gains de performances significatifs, permettant aux smartphones et autres produits mobiles « d’améliorer leurs capacités et l’expérience des utilisateurs finaux à l’ère de la 5G et au-delà ».
L’interface UFS de prochaine génération atteint une vitesse théorique allant jusqu’à 23,2 Gbit/s par voie en mode HS-GEAR5.
La dernière gamme de dispositifs de Kioxia utilise la mémoire flash 3D BiCS FLASH de l’entreprise et est disponible en trois capacités : 128 Go, 256 Go et 512 Go.
Par rapport aux dispositifs de la génération précédente, les performances en lecture et en écriture séquentielles du dispositif de 256 Go progressent respectivement d’environ 90 % et 70 %.
Les performances en lecture et en écriture aléatoires du dispositif de 256 Go progressent respectivement d’environ 35 % et 60 % par rapport aux dispositifs de la génération précédente.
« À l’avenir, nous continuerons à faire progresser ces avancées tout en conservant notre position de leader dans le domaine des mémoires UFS », a déclaré Scott Beekman, VP of the memory business unit, Kioxia America.