SAN JOSE, Kalifornien — Kioxia America stellt einen neuen eingebetteten Flash-Speicherbaustein vor.
Nach Angaben des Unternehmens hat Kioxia America im vergangenen Monat eine „Bemusterung“ seiner eingebetteten Universal-Flash-Storage-(UFS-)Flash-Speicherbausteine entwickelt, die die Physical-Layer-Schnittstelle MIPI M-PHY v. 5,04 unterstützen.
Die Bausteine sind für verschiedene mobile Anwendungen, darunter Smartphones, ausgelegt und sollen hohe Lese- und Schreibleistungen liefern.
Kioxia ist überzeugt, dass die UFS-Technologie der nächsten Generation deutliche Leistungssteigerungen bietet und es Smartphones und anderen mobilen Produkten ermöglicht, „ihre Fähigkeiten und das Nutzererlebnis im 5G-Zeitalter und darüber hinaus zu verbessern“.
UFS der nächsten Generation erreicht im HS-GEAR5-Modus eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 23,2 Gbit/s pro Lane.
Die neueste Bausteinserie von Kioxia nutzt den 3D-Flash-Speicher BiCS FLASH des Unternehmens und ist in drei Kapazitäten erhältlich: 128 GB, 256 GB und 512 GB.
Gegenüber Bausteinen der vorherigen Generation wurde die sequenzielle Lese- und Schreibleistung des 256-GB-Bausteins um etwa 90 % bzw. 70 % verbessert.
Die zufällige Lese- und Schreibleistung des 256-GB-Bausteins wurde gegenüber Bausteinen der vorherigen Generation um etwa 35 % bzw. 60 % verbessert.
„Wir werden diese Fortschritte auch künftig weiter vorantreiben und dabei unsere führende Position bei UFS-Speichern behaupten“, sagte Scott Beekman, Vizepräsident der Memory Business Unit bei Kioxia America.